실리콘 카바이드는 1 : 1 비율의 실리콘 (SI) 및 탄소 (c)로 구성된 무기 화합물 반도체 물질로, 독특한 SI-C 사면체 구조를 형성한다. 이 구조는 실리콘 카바이드가 높은 경도 (다이아몬드에 이르는 두 번째), 넓은 밴드 갭 (최대 3.26 eV), 높은 열전도율, 높은 작동 온도, 높은 부식 저항 등을 포함하여 우수한 물리적 및 화학적 특성을 제공합니다.
실리콘 카바이드는 1 : 1 비율의 실리콘 (SI) 및 탄소 (c)로 구성된 무기 화합물 반도체 물질로, 독특한 SI-C 사면체 구조를 형성한다. 이 구조는 실리콘 카바이드가 높은 경도 (다이아몬드에 이르는 두 번째), 넓은 밴드 갭 (최대 3.26 eV), 높은 열전도율, 높은 작동 온도, 높은 부식 저항 등을 포함하여 우수한 물리적 및 화학적 특성을 제공합니다.
